专利名称：半导体装置及其制法专利类型：发明专利
发明人：曾文聪,赖顗喆,邱世冠,叶懋华申请号：CN201310498675.9申请日：20131022公开号：CN104425414A公开日：20150318
摘要：一种半导体装置及其制法，该半导体装置包括：具有多个导电穿孔的半导体基板、形成于该半导体基板上的缓冲材、以及分别形成于各该导电穿孔的端面上并覆盖该缓冲材的多个电性接触垫，以当于该电性接触垫上进行回焊制程时，可藉该缓冲材降低回焊时因热所产生的残留应力，所以能避免该电性接触垫上的接点出现破裂。
申请人：矽品精密工业股份有限公司
地址：中国台湾台中市
国籍：CN
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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